Indium Corp теперь поставляет порошки ацетилацетоната галлия

Ацетилацетонат галлия, часто сокращенно Ga(acac)3, представляет собой металлоорганический координационный комплекс (соединение, состоящее из атома металла, связанного с органическими молекулами, называемыми лигандами, часто через атомы углерода). Он состоит из атома галлия в центре, координированного тремя ацетилацетонатными лигандами.

Лиганды — это молекулы или ионы, которые образуют координационные связи с центральным атомом металла в металлоорганическом координационном комплексе или соединении переходного металла. Эти связи предполагают передачу электронных пар от лиганда атому металла. Лиганды играют решающую роль в стабилизации комплекса и влиянии на его свойства. Ацетилацетонат является бидентатным лигандом, то есть образует две связи с центральным атомом галлия. Этот комплекс известен своей стабильностью и универсальностью, что делает его полезным в различных приложениях. Нагревая и разлагая Ga(acac)3, его можно использовать для создания высокочистой и однородной тонкой пленки оксида галлия, известной как Ga2O3. Оксид галлия является важным материалом в электронике и оптоэлектронике из-за его широкой запрещенной зоны (~ 4,8 эВ), что означает, что он может эффективно выдерживать высокие напряжения и температуры. Это делает его пригодным для применения в силовой электронике.

Ga(acac)3 можно объединить с серой для синтеза квантовых точек сульфида галлия (КТ Ga2S3). Эти квантовые точки имеют удельную запрещенную зону примерно 3,30 эВ. Квантовые точки Ga2S3 используются в фотонике и оптоэлектронике, таких как светоизлучающие диоды (светодиоды), солнечные элементы и датчики, благодаря их настраиваемым оптическим свойствам. Ga(acac)3 также можно использовать для создания квантовых точек других материалов, таких как арсенид галлия (GaAs), фосфид галлия (GaP) и фосфид галлия-индия (GaInP). Эти материалы имеют потенциальное применение в квантовой фотонике, которая предполагает манипулирование светом и контроль над ним на квантовом уровне.

Ga(acac)3 может служить более безопасной альтернативой триметилгаллию (ТМГ) в процессах высокотемпературного осаждения. TMG часто используется при химическом осаждении из паровой фазы металлоорганических соединений (MOCVD) для роста тонких пленок. При производстве дисплеев ТМГ испаряется, а затем переносится на подложку, где вступает в реакцию с другими химическими веществами, образуя тонкую пленку галлия. Эта галлиевая пленка затем используется для создания активного слоя светодиода. Но он пирофорен (воспламеняется на воздухе) и требует осторожного обращения. Ga(acac)3 термически стабилен и не представляет такого же риска, что упрощает обращение с ним. Форма кристаллического порошка также повышает безопасность и простоту использования по сравнению с жидким ТМГ.

Indium Corporation предлагает Ga(acac)3 высокой чистоты, начиная с 99,99%. Такой высокий уровень чистоты обеспечивает стабильные и надежные результаты в различных областях применения. Компания заявляет, что также может адаптировать свойства Ga(acac)3 для удовлетворения конкретных потребностей своих клиентов, оптимизируя его характеристики для различных применений.